Integrierte Schaltkreis-Anordnung und Verfahren zum Ermitteln des Parasitären Ohmschen Widerstands Zumindest der Zuleitung Zumindest einer Speicherzelle einer Integrierten Schaltkreis-Anordnung

WO2007093172 Art A2 23. August 2007

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007093172
Aktenzeichen: EP07711198
Anmeldetag: 16. Februar 2007
Veröffentlichung: 23. August 2007
Rechtsraum: WO
IPC: G01R27/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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