Method for manufacturing soi substrate
WO2007094230
Art A1
23. August 2007
Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007094230
- Aktenzeichen
- EP07708226
- Anmeldetag
- 8. Februar 2007
- Veröffentlichung
- 23. August 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/02H01L27/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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