Nano-sized ultrathin film dielectric, process for producing the same and nano-sized ultrathin film dielectric device
WO2007094244
Art A1
23. August 2007
Anmelder: National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007094244
- Aktenzeichen
- EP07708271
- Anmeldetag
- 8. Februar 2007
- Veröffentlichung
- 23. August 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78C01G23/04C09D1/00H01B3/00H01B17/60H01B19/00H01L21/316H01L21/8242H01L27/108
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute for Materials Science
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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