Photo field effect transistor and integrated photodetector using same

WO2007094493 Art A1 23. August 2007

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007094493
Aktenzeichen: EP07714439
Anmeldetag: 13. Februar 2007
Veröffentlichung: 23. August 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/10H01L21/28H01L21/337H01L29/66H01L29/80H01L29/808

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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