Method for double-sided processing of thin film transistors

WO2007094824 Art A2 23. August 2007

Anmelder: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007094824
Aktenzeichen: EP06825806
Anmeldetag: 11. Oktober 2006
Veröffentlichung: 23. August 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Wisconsin Alumni Research Foundation

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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