Infinitely Selective Photoresist Mask Etch

WO2007094957 Art A1 23. August 2007

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007094957
Aktenzeichen: EP07709889
Anmeldetag: 30. Januar 2007
Veröffentlichung: 23. August 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von