Semiconductordevice including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and passivating coupling material comprissing multiple organic components for use in a semiconductor device

WO2007095972 Art A1 30. August 2007

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007095972
Aktenzeichen: EP06723821
Anmeldetag: 24. Februar 2006
Veröffentlichung: 30. August 2007
Rechtsraum: WO
IPC: C07F7/18H01L23/532

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Freescale Semiconductor, Inc.
Koninklijke Philips Electronics N.V.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

2.392 Patente in unserer Datenbank

🇳🇱 Philips

Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.

43.499 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Organische Chemie

Vertreten von