Testing non-volatile memory devices for charge leakage

WO2007095974 Art A1 30. August 2007

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc., Centre National de la Recherche Scientifique (C.N.R.S.) 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007095974
Aktenzeichen: EP06723823
Anmeldetag: 24. Februar 2006
Veröffentlichung: 30. August 2007
Rechtsraum: WO
IPC: G11C29/50

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Freescale Semiconductor, Inc.
Centre National de la Recherche Scientifique (C.N.R.S.)
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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