Method for forming amorphous carbon film and method for manufacturing semiconductor device using same

WO2007097432 Art A1 30. August 2007

Anmelder: Tokyo Electron Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007097432
Aktenzeichen: EP07714887
Anmeldetag: 23. Februar 2007
Veröffentlichung: 30. August 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065C23C16/26

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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