Process tuning gas injection from the substrate edge

WO2007098071 Art A2 30. August 2007

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007098071
Aktenzeichen: EP07751018
Anmeldetag: 16. Februar 2007
Veröffentlichung: 30. August 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/306C23F1/00H01L21/302C23C16/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von