Field effect transistor employing carbon nanotube, method for fabricating the same and sensor

WO2007099642 Art A1 7. September 2007

Anmelder: Fujitsu Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007099642
Aktenzeichen: EP06728624
Anmeldetag: 3. März 2006
Veröffentlichung: 7. September 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L21/338H01L29/786H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujitsu Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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