Silicon carbide mos field effect transistor with built-in schottky diode and method for manufacturing such transistor

WO2007099688 Art A1 7. September 2007

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007099688
Aktenzeichen: EP06843454
Anmeldetag: 27. Dezember 2006
Veröffentlichung: 7. September 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/12H01L21/28H01L21/76H01L21/8234H01L27/06H01L29/417H01L29/47H01L29/78H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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