Plasma oxidation method and method for manufacturing semiconductor device

WO2007099922 Art A1 7. September 2007

Anmelder: Tokyo Electron Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007099922
Aktenzeichen: EP07714954
Anmeldetag: 27. Februar 2007
Veröffentlichung: 7. September 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316H01L21/8247H01L27/115H01L29/78H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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