Resistive memory manufacturing method

WO2007102212 Art A1 13. September 2007

Anmelder: FUJITSU LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007102212
Aktenzeichen: EP06715412
Anmeldetag: 8. März 2006
Veröffentlichung: 13. September 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/10H01L49/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: FUJITSU LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

Japanisches Unternehmen für Informationstechnik, das Computer, Server, Netzwerktechnik sowie IT-Dienstleistungen und Softwarelösungen entwickelt und anbietet.

17.891 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von