Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device

WO2007102281 Art A1 13. September 2007

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007102281
Aktenzeichen: EP07706788
Anmeldetag: 16. Januar 2007
Veröffentlichung: 13. September 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/316H01L21/336H01L29/12H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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