Magnetic tunnel junction pressure sensors and methods
WO2007102885
Art A2
13. September 2007
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007102885
- Aktenzeichen
- EP06850069
- Anmeldetag
- 25. Oktober 2006
- Veröffentlichung
- 13. September 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11B5/33
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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