Method and apparatus for improving symmetry of a layer deposited on a semiconductor substrate

WO2007102905 Art A2 13. September 2007

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007102905
Aktenzeichen: EP06850257
Anmeldetag: 11. Dezember 2006
Veröffentlichung: 13. September 2007
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/32C23C14/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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