Silicon Photovoltaic Cell Junction Formed From Thin Film Doping Source

WO2007103598 Art A2 13. September 2007

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007103598
Aktenzeichen: EP07756508
Anmeldetag: 30. Januar 2007
Veröffentlichung: 13. September 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H05H1/24C23C16/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Metallurgie & Oberflächentechnik

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