Source and drain formation

WO2007105157 Art A2 20. September 2007

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007105157
Aktenzeichen: EP07713229
Anmeldetag: 9. März 2007
Veröffentlichung: 20. September 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/786H01L21/225H01L21/28H01L21/84

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

7.818 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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