Method for manufacturing group 3-5 nitride semiconductor substrate

WO2007105782 Art A1 20. September 2007

Anmelder: Sumitomo Chemical Company, Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007105782
Aktenzeichen: EP07715333
Anmeldetag: 8. März 2007
Veröffentlichung: 20. September 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C30B29/38H01L33/00H01S5/323

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sumitomo Chemical Company, Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

4.352 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von