Sintered electrode for cold-cathode tube, cold-cathode tube using the same, and liquid crystal display device

WO2007105821 Art A1 20. September 2007

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, Toshiba Materials Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2007105821
Aktenzeichen
EP07738785
Anmeldetag
16. März 2007
Veröffentlichung
20. September 2007
Rechtsraum
WO
IPC
H01J61/067
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Kabushiki Kaisha Toshiba
Toshiba Materials Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.642 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Toshiba Materials

Toshiba Materials ist eine japanische Tochtergesellschaft des Toshiba-Konzerns, spezialisiert auf keramische und magnetische Werkstoffe. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie anorganische Chemie und Werkstoffe, ergänzt um Metallurgie. Anmeldungen erstrecken sich über die Jahre 2004 bis 2024.

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