Semiconductor device fabricated using a carbon-containing film as a contact etch stop layer

WO2007106814 Art A2 20. September 2007

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007106814
Aktenzeichen: EP07758440
Anmeldetag: 13. März 2007
Veröffentlichung: 20. September 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/58H01L21/469

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

3.600 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von