Process for producing thin-film transistor, laser crystallization apparatus and semiconductor device

WO2007108157 Art A1 27. September 2007

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007108157
Aktenzeichen: EP06822677
Anmeldetag: 31. Oktober 2006
Veröffentlichung: 27. September 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/268H01L21/20H01L21/336H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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