Semiconductor device having igbt cells and diode cells, and its designing method
WO2007108456
Art A1
27. September 2007
Anmelder: DENSO CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007108456
- Aktenzeichen
- EP07739043
- Anmeldetag
- 20. März 2007
- Veröffentlichung
- 27. September 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/739H01L21/336H01L27/04H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- DENSO CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Denso
Japanischer Automobilzulieferer mit Sitz in Kariya (Präfektur Aichi). Denso entwickelt Antriebs, Klima, Sicherheits und Elektroniksysteme für Fahrzeuge sowie Komponenten für Elektromobilität, Fahrerassistenz und Halbleitertechnik.
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