Nitride single crystal manufacturing apparatus
WO2007108498
Art A1
27. September 2007
Anmelder: NGK Insulators, Ltd., Osaka University, TOYODA GOSEI CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007108498
- Aktenzeichen
- EP07739231
- Anmeldetag
- 14. März 2007
- Veröffentlichung
- 27. September 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/38C30B9/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NGK Insulators, Ltd.
Osaka University
TOYODA GOSEI CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NGK Insulators
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
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🇯🇵
Osaka University
Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.
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Fachgebiete
Vertreten von
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