Field effect transistor with gate insulation layer formed by using amorphous oxide film

WO2007108527 Art A1 27. September 2007

Anmelder: CANON KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007108527
Aktenzeichen: EP07739380
Anmeldetag: 15. März 2007
Veröffentlichung: 27. September 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CANON KABUSHIKI KAISHA
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Canon

Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, der Kameras, Objektive, Drucker, Kopiergeräte sowie optische und medizinische Bildgebungstechnik entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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