Device and method for etching flash memory gate stacks comprising high-k dielectric

WO2007109356 Art A2 27. September 2007

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007109356
Aktenzeichen: EP07753776
Anmeldetag: 21. März 2007
Veröffentlichung: 27. September 2007
Rechtsraum: WO
IPC: C23F1/00H01L21/302

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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