Method of substrate treatment, process for producing semiconductor device, substrate treating apparatus, and recording medium

WO2007111126 Art A1 4. Oktober 2007

Anmelder: Tokyo Electron Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007111126
Aktenzeichen: EP07738447
Anmeldetag: 13. März 2007
Veröffentlichung: 4. Oktober 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/304H01L21/306H01L21/3065H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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