Method of integrating peald ta-containing films into cu metallization

WO2007111779 Art A2 4. Oktober 2007

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007111779
Aktenzeichen: EP07750090
Anmeldetag: 5. Februar 2007
Veröffentlichung: 4. Oktober 2007
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/00H05H1/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Metallurgie & Oberflächentechnik

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