Process For Filling Recessed Features in A Dielectric Substrate

WO2007112768 Art A1 11. Oktober 2007

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007112768
Aktenzeichen: EP06724632
Anmeldetag: 30. März 2006
Veröffentlichung: 11. Oktober 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L21/288

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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