Semiconductor device, layered type semiconductor device using the same, base substrate, and semiconductor device manufacturing method

WO2007114106 Art A1 11. Oktober 2007

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007114106
Aktenzeichen: EP07739691
Anmeldetag: 26. März 2007
Veröffentlichung: 11. Oktober 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/12H01L25/10H01L25/11H01L25/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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