Self-aligned trench mosfet structure and method of manufacture

WO2007114863 Art A2 11. Oktober 2007

Anmelder: Fairchild Semiconductor Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007114863
Aktenzeichen: EP06850240
Anmeldetag: 6. Dezember 2006
Veröffentlichung: 11. Oktober 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01M8/06B01J19/00C01B3/26

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fairchild Semiconductor Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der 2016 von ON Semiconductor übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter- und Schaltungstechnik sowie Leistungselektronik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2017.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Verfahrens- & Trenntechnik

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