Method of forming mixed rare earth oxide and aluminate films by atomic layer deposition

WO2007115029 Art A2 11. Oktober 2007

Anmelder: Tokyo Electron Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007115029
Aktenzeichen: EP07759558
Anmeldetag: 28. März 2007
Veröffentlichung: 11. Oktober 2007
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/448C23C16/455

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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