Semiconductor device manufacturing method and substrate processing apparatus

WO2007116768 Art A1 18. Oktober 2007

Anmelder: Hitachi Kokusai Electric Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007116768
Aktenzeichen: EP07739937
Anmeldetag: 27. März 2007
Veröffentlichung: 18. Oktober 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/44H01L21/31

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Kokusai Electric Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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