Method for manufacturing co-base sintered alloy sputtering target for formation of magnetic recording film which is less likely to generate particles, and co-base sintered alloy sputtering target for formation of magnetic recording film
WO2007116834
Art A1
18. Oktober 2007
Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007116834
- Aktenzeichen
- EP07740659
- Anmeldetag
- 30. März 2007
- Veröffentlichung
- 18. Oktober 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C14/34C22C1/04C22C27/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsubishi Materials Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Materials
Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.
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