A method to improve the ashing/wet etch damage resistance and integration stability of low dielectric constant films

WO2007117320 Art A2 18. Oktober 2007

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007117320
Aktenzeichen: EP06850253
Anmeldetag: 8. Dezember 2006
Veröffentlichung: 18. Oktober 2007
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/00C08J7/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Kunststoff- & Polymertechnik Metallurgie & Oberflächentechnik

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