Measuring a damaged structure formed on a wafer using optical metrology

WO2007117434 Art A2 18. Oktober 2007

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007117434
Aktenzeichen: EP07754741
Anmeldetag: 29. März 2007
Veröffentlichung: 18. Oktober 2007
Rechtsraum: WO
IPC: G01N21/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

6.253 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von