Flash memory device with enlarged control gate structure, and methods of making same

WO2007117851 Art A1 18. Oktober 2007

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007117851
Aktenzeichen: EP07758571
Anmeldetag: 15. März 2007
Veröffentlichung: 18. Oktober 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8247H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von