Low temperature deposition and ultra fast annealing of integrated circuit thin film capacitor
WO2007117873
Art A1
18. Oktober 2007
Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007117873
- Aktenzeichen
- EP07758788
- Anmeldetag
- 19. März 2007
- Veröffentlichung
- 18. Oktober 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01G4/33H01G4/30H05K1/16H01L21/60
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Intel Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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