Semiconductor device with gate dielectric containing mixed rare earth elements

WO2007117991 Art A1 18. Oktober 2007

Anmelder: Tokyo Electron Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007117991
Aktenzeichen: EP07759468
Anmeldetag: 27. März 2007
Veröffentlichung: 18. Oktober 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/51H01L21/28H01L29/78H01L29/92H01L29/94H01L21/314

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Tokyo Electron Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von