Method of forming mixed rare earth nitride and aluminum nitride films by atomic layer deposition

WO2007118006 Art A2 18. Oktober 2007

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007118006
Aktenzeichen: EP07759547
Anmeldetag: 28. März 2007
Veröffentlichung: 18. Oktober 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/314C23C16/448C23C16/455C23C16/30C23C28/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

6.253 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von