Semiconductor device comprising a transistor having a counter-doped channel region and method for forming the same

WO2007120291 Art A2 25. Oktober 2007

Anmelder: Freescale Semiconductor Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007120291
Aktenzeichen: EP06850820
Anmeldetag: 28. November 2006
Veröffentlichung: 25. Oktober 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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