Compound semiconductor wafer having polycrystalline sic substrate, compound semiconductor device, and processes for producing these

WO2007122669 Art A1 1. November 2007

Anmelder: Fujitsu Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007122669
Aktenzeichen: EP06730456
Anmeldetag: 29. März 2006
Veröffentlichung: 1. November 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L21/338H01L29/778H01L29/812H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Fujitsu Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

Japanisches Unternehmen für Informationstechnik, das Computer, Server, Netzwerktechnik sowie IT-Dienstleistungen und Softwarelösungen entwickelt und anbietet.

17.891 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von