Field Effect Transistor

WO2007122790 Art A1 1. November 2007

Anmelder: NEC Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007122790
Aktenzeichen: EP07736941
Anmeldetag: 23. März 2007
Veröffentlichung: 1. November 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338H01L21/28H01L29/417H01L29/778H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: NEC Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

27.370 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von