Process for producing nitride single-crystal and apparatus therefor

WO2007122867 Art A1 1. November 2007

Anmelder: NGK Insulators, Ltd., OSAKA UNIVERSITY 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007122867
Aktenzeichen: EP07715087
Anmeldetag: 22. Februar 2007
Veröffentlichung: 1. November 2007
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NGK Insulators, Ltd.
OSAKA UNIVERSITY
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

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🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

1.047 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von