Latency optimized resynchronization solution for ddr/ddr2 sdram read path
WO2007125519
Art A2
8. November 2007
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007125519
- Aktenzeichen
- EP07735721
- Anmeldetag
- 2. Mai 2007
- Veröffentlichung
- 8. November 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C7/10G11C7/22G11C11/4093G11C11/4096G11C11/4076
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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