Field Effect Transistor

WO2007125671 Art A1 8. November 2007

Anmelder: Nipponkayaku Kabushikikaisha, Hiroshima University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007125671
Aktenzeichen: EP07714595
Anmeldetag: 20. Februar 2007
Veröffentlichung: 8. November 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L51/30H01L29/786H01L51/05H01L51/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Nipponkayaku Kabushikikaisha
Hiroshima University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hiroshima University

Die Hiroshima University ist eine staatliche japanische Universität mit breiter Forschung in Medizin, Pharmazie und Naturwissenschaften. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Pharma- und Biotechnologie sowie Medizintechnik, ergänzt durch organische Chemie und Messtechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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