Epitaxial Silicon Germanium For Reduced Contact Resistance in Field-Effect Transistors

WO2007126909 Art A1 8. November 2007

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007126909
Aktenzeichen: EP07754256
Anmeldetag: 29. März 2007
Veröffentlichung: 8. November 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8238H01L27/092

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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