Method for transferring a predetermined pattern reducing proximity effects

WO2007129135 Art A1 15. November 2007

Anmelder: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE, ST Microelectronics Crolles 2 SAS, Freescale Semiconductor, Inc. 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007129135
Aktenzeichen: EP06765565
Anmeldetag: 5. Mai 2006
Veröffentlichung: 15. November 2007
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/20

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
ST Microelectronics Crolles 2 SAS
Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

5.929 Patente in unserer Datenbank

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

2.392 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Optik & Fototechnik

Vertreten von