Trench Field Effect Transistors

WO2007129261 Art A2 15. November 2007

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007129261
Aktenzeichen: EP07735736
Anmeldetag: 2. Mai 2007
Veröffentlichung: 15. November 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/06H01L29/40H01L29/423H01L29/417

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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